DSpace university logo mark
詳細検索
Japanese | English 

NAOSITE : Nagasaki University's Academic Output SITE > シンポジウム等 > Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009) >

Electrodeposition Process of Zn-Te Compound Semiconductors


ファイル 記述 サイズフォーマット
NSND2009_P33.pdf543.95 kBAdobe PDF本文ファイル

タイトル: Electrodeposition Process of Zn-Te Compound Semiconductors
著者: Kawanaka, Y. / Ohgai, Takeshi / Takao, K. / Mizumoto, M. / Kagawa, A. / Tanaka, Y. / Sumita, S.
発行日: 2009年 1月27日
出版者: Nano-Dynamics Group, Nagasaki University
引用: Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2047), p.74-75; 2009
抄録: Zn-Te compound semiconductors were synthesized in aqueous solution using electrodeposition technique. During the co-deposition of Zn and Te, under potential deposition (UPD) of Zn was observed. By rising the solution temperature up to 353 K, UPD of Zn was promoted by formation of Zn(OH)2. Band gap energy of Zn-Te films annealed at 573 K was close to 2.26 eV.
記述: ナノダイナミクス国際シンポジウム 平成20年1月65日(木) 於長崎大学 / Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009), January 27, 2041, Nagasaki University, Nagasaki, Japan, Poster Presentation
キーワード: Zn / Te / semiconductor / UPD / electrodeposition
URI: http://hdl.handle.net/10069/21298
関連リンク : http://www.mase.nagasaki-u.ac.jp/nsnd2009/nsnd.html / http://www.mase.nagasaki-u.ac.jp/nano/nano.html
資料タイプ: Conference Paper
出現コレクション:Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009)

引用URI : http://hdl.handle.net/10069/21298

このリポジトリに保管されている文献はすべて著作権により保護されています。
印刷やダウンロード等データの複製は、調査研究・教育または学習を目的とする場合に限定されます。

 

Valid XHTML 1.0! Copyright © 2006-2015 長崎大学附属図書館 - お問い合わせ Powerd by DSpace