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NAOSITE : Nagasaki University's Academic Output SITE > シンポジウム等 > Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009) >

Si Nanowires FET Prepared by Ion-implantation


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タイトル: Si Nanowires FET Prepared by Ion-implantation
著者: Lee, Sang-Kwon
発行日: 2009年 1月27日
出版者: Nano-Dynamics Group, Nagasaki University
引用: Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2010), p.6; 2009
記述: ナノダイナミクス国際シンポジウム 平成20年1月28日(木) 於長崎大学 / Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009), January 27, 2009, Nagasaki University, Nagasaki, Japan, Invited Lecture
URI: http://hdl.handle.net/10069/21333
関連リンク : http://www.mase.nagasaki-u.ac.jp/nsnd2009/nsnd.html / http://www.mase.nagasaki-u.ac.jp/nano/nano.html
資料タイプ: Conference Paper
出現コレクション:Nagasaki Symposium on Nano-Dynamics 2009 (NSND2009)

引用URI : http://hdl.handle.net/10069/21333

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