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Inversion boundaries developed by etching on{1010} of ZnO crystal


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タイトル: Inversion boundaries developed by etching on{1010} of ZnO crystal
その他のタイトル: Inversion boundaries developed by etching on{1010} of ZnO crystal
著者: Kubo, Ikumaro / Tomiyama, Noriyuki
著者(別表記) : 久保, 為久麿 / 富山, 哲之
発行日: 1973年 2月28日
出版者: 長崎大学教育学部
引用: 長崎大学教育学部自然科学研究報告. vol.24, p.13-21; 1973
抄録: Etch pattern on surfaces of ZnO crystal has been observed by using an E.M. and an S.E.M. Two kinds of boundaries on which stacking orders of Zn and O atomic planes change have been developed on the plane {1010} by using etching technique. Hydrofluoric acid (~46%) was used as etchant. One boundary on which stacking of Zn and O planes changes from one order, -O.Zn-O.Zn-, to the other order, -Zn.O-Zn.O-, is a twin boundary. While, the other boundary on which stacking of Zn and O planes changes from the latter order to the former one is not considered as a twin one. Results of observation suggest to us that the decrease in the growth rate of the crystal needle is due to the generation of twin boundaries in the crystal.
URI: http://hdl.handle.net/10069/32975
ISSN: 0386443X
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
原稿種類: publisher
出現コレクション:第24号

引用URI : http://hdl.handle.net/10069/32975

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