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化合物半導体ZnSeのCu不純物準位


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タイトル: 化合物半導体ZnSeのCu不純物準位
その他のタイトル: Cu Impurity Level in Compound Semiconductor of ZnSe
著者: 竹野下, 寛 / 瀧川, 健
著者(別表記) : Takenoshita, Hiroshi / Takigawa, Ken
発行日: 1999年 3月
引用: 長崎大学教育学部紀要. 教育科学. vol.62, p.57-64; 2002 / 長崎大学教育学部紀要. 自然科学. vol.60, p.15-22; 1999
抄録: 加速電子を物質に照射したときに得られる発光現象-カソードルミネスセンセンス (CL) 法-を使って, II-VI属化合物半導体ZnSeの結晶評価を行った。ZnSeは禁制帯幅(Eg)は2.67eVで, ワイドギャップ半導体材料の一つで, 青色から赤色までの可視光領域の発光をすることで知られている。特に青色は発光ダイオード用半導体材料として注目されている。Piper-Polish法により単結晶を成長させた不純物ドープ量の異なる3種のZnSe単結晶を選び, 室温でCLスペクトル測定を行い不純物準位を算出した。用意した3種の試料からの発光スペクトル図形は略同一となっているが, ピーク発光波長とその強度は異なっている。Cu不純物量が増大すると, 青色 : 462.5nm(2.68eV)は減衰し, 緑色 : 547.5nm(2.26eV)と赤色 : 615.0nm(2.02eV)の発光強度が増大する。さらにドープ量が増大すると, 全体に発光強度は衰退し, 緑色発光も減衰し, 赤色 : 615.0nm(2.02eV), 667.5nm(1.86eV)が中心となってくることが分かった。青色発光波長 : 462.5nm(2.68eV)はZnSeのバンド間遷移, 緑色発光 : 547.5nm(2.26eV)はCuドナー(0.4eV; Cu-Green)と充満帯間の遷移, 赤色発光 : 615.0nm(2.02eV)は, Cuアクセプタ(0.65eV; Cu-Red)-伝導帯間の遷移である。
URI: http://hdl.handle.net/10069/6063
ISSN: 13451359
資料タイプ: Departmental Bulletin Paper
出現コレクション:第60号

引用URI : http://hdl.handle.net/10069/6063

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